人物经历 教育经历 时间 院校 学位 1951年 浙江大学 1958年 苏联 列宁格勒 大学 博士 工作经历 清华大学教授。50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。 1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。 1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和 微电子 机械技术。 1991当选为中国科学院院士（学部委员）。 主要成就 科研成就 科研综述 50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比PbS红外探测器。 1958年提倡中国半导体发展应以硅技术为主的思想(当时国际上半导体器件的主流是锗晶体管)。1958年研制出超纯多晶硅，1960年研制出硅合金晶体管，1962-1963年又研制成功硅平面工艺和高反压(150V)硅平面晶体管。这些工作对中国半导体器件的早期发展有重要的推动作用。 1980年代在Si/Si02界面研究方面发表一系列论文，在国内外有相当影响。《MOS界面研究新技术》一文被选参加中美表面科学学术讨论会(美国科学院与中国科协主办)，被特邀参加INFOS'91(该领域国际上最著名学术会议)和聘为国际顾问委员会委员，国内被邀编写专论。以上部分成果曾获国家教委科技进步奖 二等奖 。对Si/Si02界面电子隧道穿透进行了深入研究，研制成功2kEEPROM存贮器，获1988年国家教委科技进步奖二等奖。 1996年国家安排IC卡研制，因EEPROM是其基本技术，清华大学得以在5个月内研制出全国第一块IC卡，显示了他在技术上的远见卓识。 1980年代初即看到快速(瞬态)热处理(通常为长时期的“稳态”热处理)技术对深亚微米集成电路发展的重要意义，而后又发现当时通用的激光退火方法的局限性，从而与钱佩信一起发明了“半导体快速热处理技术和设备”，取得中、美两国专利，并获得1990年 国家发明奖 二等奖 。该成果已在国内推广，该设备是一台国内当前唯一不要进口的VLSI 先进工艺设备，已推向国外市场。 “六五”到“八五”3个五年计划期间，负责多项 微电子技术 和集成电路国家重点攻关任务。3次获得国家教委和电子部科技进步奖 一等奖 ；“3微米 LSI 成套工艺技术和集成电路研究”获1987年 国家科技进步奖 二等奖；“1-1.5微米VLSI CMOS工艺及1兆位汉字库ROM”获1995年国家科技进步奖 二等奖 。 1990年代开始他主持国家重大基金项目“系统集成技术研究”。这是当前 微电子 前沿课题，他们发表的一系列论文已受到国际注视。他本人的工作，尤其在“微机械电子系统”方面有不少发明创造，包括国内首先研制成功的“带有转速自检测机能的微静电马达”等一批工作，使中国进入这一领域先进行列。他在这方面已在国内外主要刊物发表论文近30篇，申请多项 美国 发明专利，获准的已有5项。 他培养的大批优秀微电子人才中，有2名已当选为中国科学院院士。他亲自培养出的博士生，已有26名。 主要学术论文、著作目录 MOS大规模集成技术进展.见:MOS大规模集成技术(上册).北京:科学出版社,1984. 硅耗尽层少于产生率的强电场效应.半导体学报,1985,6(1):1. 硅耗尽层准二维系统室温电子隧道能谱.半导体学报,1985,6(3):236. MOS界面电荷瞬态谱方法.半导体学报,1985,6(5):458. MOS技术中的Si-Si02介面物理.见:半导体器件研究与发展.北京:科学出版社,1988. 一种新的MOS电流型逻辑电路.电子学报,1988,10(2),51. VLSI成品率统计中的缺陷成因效应及统计参数与面积的关系.半导体学报,1988,9(3):245.(合作者:张钟宣). 一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的调电压解析模型电子学报,1990,18(11):9.(合作者:陈文同). A novel pressure sensor structure for integrated sensor Sensots and Actuatore. 1990, (A21-23):62.(with Wang Yuelin,Liu Litian) Defect free silicon film on silion dioxide formed by some melting recrystallization with high apeed, IEEE Trane, on Electron Devices.1990,ED37:952.(with Liu Lianjun, Qian Peixin). 90年代的 微电子技术. 中国科学院院报,1991(1):23. 一种基于浮栅NMOS晶体管的可编程神经网络芯的设计和应用.电子学报,1992,20(10):48. 滑雪崩应力下热电子注入引起的MOSFET退变特性研究.半导体学报,1993,14,12:723.(合作者:程玉华、要瑞伟). The on-ehip detection of micromotor rotational speed.Sensors and Actuators,1995,A48:81.(with Sun Xiqing,Liu Litian). 一种对称高分辨精度的多端电流MAX门和MIN门电路.半导体学报,1995,16,6:453.(合作者: 李斌桥 、石秉学). New methods for measuring mechanical properties of thin films in micro-machining, beam pull-in voltage (VPI)method and long beam deflection (LBD)method.Sensors and Actuators,1995,A48:137.(with Li Binqiao,shi Bingxue). BMHMT----Bi-MOS混合模式晶体管.电子学报,1995,23,11:11.(合作者:陈萍、刘理天). 一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用.半导体学报,1996,17(3):217.(合作者:李斌桥、石秉学). Design and fabrication of single wafer silicon condensor microphone using corrugated diaphragm.IEEE J.of MEMS,1996:5(3).(with Zou Quanbo,Liu Litian). 学术论著 主编出版了《半导体材料硅》《MOS大规模集成技术》《微电子技术中的MOS物理》等书，在国内外发表了论文200余篇。 获得荣誉 时间 奖项全称 获奖作品 颁奖机构 国家发明 二等奖 和国家科技进步二等奖各一次 部委级科技进步一、二等奖各二次 3次获得国家教委和电子部科技进步奖 一等奖 1987年 国家科技进步奖 二等奖 “3微米 LSI 成套工艺技术和集成电路研究” 1987年7月 国家科学技术进步二等奖 研究项目“大规模、超大规模集成电路研制及3微米工艺技术开发” 1990年 国家发明奖 二等奖 1991年10月 中国专利 金奖 “离子注入半导体瞬时退火设备” 中华人民共和国专利局 1993年12月 国家电子工业部颁发的国家科学技术进步一等奖 1995年 国家科技进步奖二等奖 “1-1.5微米VLSI CMOS 工艺及1兆位汉字库ROM”